MOSH半导体制热技术

光之科技创新研发的MOSH（Metal-Oxide-Semiconductor-Heating）半导体制热技术从原理上区别于传统制热技术，它是选择特殊组分的氧缺位N型金属氧化物半导体作为实现电热转化的介质。此类氧缺位N型金属氧化物半导体是宽禁带（wide bandgap）半导体，其结构为纤锌矿型六方晶格结构（wurtzite structure），宽禁带结构决定了此类半导体在一般（非特殊条件）电场中受激后，核外价电子不能逾越禁带成为自由电子，而是核外价电子在带内跃迁后退激发时释放的能量，转化成为了半导体晶格简正振动的格波能量，格波的能量子-声子，可分为声频支和光频支两个部分。在低温时，声频支声子是热量的主要贡献者，以热传导的方式传递热量，但随着温度升高，光频支声子所占比例就会越来越大，光频支声子以热辐射传递热量，在温度升高后的晶格所产生的热量总体中，热辐射占比也相应增大，如半导体晶格升温至熔融状态，格波声子基本上都将处于光频支范畴，即基本上都将以辐射方式传递热量。

在通电条件下，不排除有少量热量仍然来自于电流（载流子定向迁移）对导通电阻做功，使半导体分子运动加速，分子间摩擦加剧，产生了焦耳热。

MOSH半导体材料在电场中主要以特定波长，且具有良好热效应的远红外光谱线对外释放热量，波长范围4-20微米，该波长范围光谱线在医学上被称之为“生命光波”，与生命体亲善。

MOSH半导体制热技术是新一代电热转化基础性技术，电热转化效率高达99.43%，通过不同的制备技术已可实现的电功率密度为100W/㎡—100000W/㎡,因此可以广泛应用于社会生活的方方面面：工业、农业、交通、建筑、军事、家用电器、穿戴用品、家居日常消费品等众多的领域，并在各个应用领域都将以清洁、高效、低成本的优势，颠覆传统的制热技术。MOSH半导体是纳米级的新材料，仅需数十纳米厚度的膜层就可以实现强大的制热功能，并可以通过调节输入的电功率而灵活控制其温度。通电即热、高效清洁，并通过智能化系统，可对温度与能耗进行精确控制。

MOSH半导体既可以纳米级的厚度附着于金属、陶瓷、玻璃、薄膜等各种不同的基层上；也可以通过高分子材料封装成柔性材料，独立使用；还可以与木地板、墙板、瓷砖进行复合，制作装饰、之热两大功能合而为一的一体化材料。