全球首创的MOSH(Metal Oxide Semiconductor Heating)金属氧化物半导体制热技术因其99.45%的高电热转换效率和50年功率衰减仅为3.3%而傲视同侪。在实际使用过程中其能耗表现究竟如何呢?让我们一起看一下三个案例。
MOSH半导体电热封装芯片(PVC)示意图
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廊坊中建机械方舱样板间项目
廊坊中建机械方舱样板间面积为18m2,该项目采用MOSH半导体电热封装芯片(PVC)地面铺装方式。
本次地暖升温实验用时3小时,从上午8:10开始至11:10完成测试。测试开始前,房间初始温度为13.7-14.2℃,室外温度为15.3℃,天气预报为9℃。本次测试温度以溫控器显示温度为准,实验目的:測试地暖系统加热所需能耗,在房问温度达到22℃终止实验。实验要求每十分钟记录一次显示温度,并要求记录测试前电表读数和测试完成电表读数,统计室温达到要求数值所消耗的电量。
本次测试用时3小时,测试开始前电表读数:571.09kWh,实验结束电表读数:571.28kWh,共计消耗电量0.19度。
实际使用功率:0.19kWh/3h/18m2=3.52W/m2
即:按每度电0.5元计算,100m2采暖面积每小时所需花费:3.52*100/1000*0.5=0.18元。
分析其能耗极低的原因有二:
墙体加装了100mm岩棉保温层;
室外温度相对较高,温差还不大。
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杭州九溪华淼办公室
本项目位于杭州钱塘江九溪景区边上的一栋两层楼办公建筑的二层,采暖空间净面积为44m2,其中一半墙面为外墙。该项目采用MOSH半导体电热封装芯片(PVC)地面铺装方式,地面装饰面层为瓷砖。
测试记录三天,采暖系统24小时开启,耗电量每天分别为10kWh、12kWh和11kWh,平均为11kWh,室内温度达到了32℃。
实际使用功率:
11kWh/24h/44m2=10.42W/m2
即:按每度电0.5元计算,100m2采暖面积每小时所需花费:10.42*100/1000*0.5=0.52元。
本项目单位面积能耗比上述一个案例略高,判断主要有两个原因:
1.南方建筑的保温性普遍不如北方;
2.此采暖空间的顶部为建筑屋顶,热量耗散相比一般房间会更多,且建筑层高较高,这也增加了能耗。但总体而言,能耗情况还是相当令人满意的,采暖费用比北方有补贴的水暖要低很多。
END
注:上面二个案例测试数据均来自客户,真实可靠。
总结:
上述二个案例让我们看到了MOSH制热技术显而易见的节能优势。同时,除了产品本身质量过硬外,加强建筑保温措施也是降低能耗的一个极其重要的环节。
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